| Инд. авторы: | Grigoriev Y.N., Gorobchuk A.G. |
| Заглавие: | Effect of RF discharge structure on etching rate in plasma-chemical reactor |
| Библ. ссылка: | Grigoriev Y.N., Gorobchuk A.G. Effect of RF discharge structure on etching rate in plasma-chemical reactor // Proc. of the IEEE Region 8 International Conference on «Computational Technologies in Electrical and Electronics Engineering» (SIBIRCON 2010). Novosibirsk, 2010. - P.542-545. |
| Внешние системы: | РИНЦ: 15323808; SCOPUS: 2-s2.0-77957261578; |
| Издано: | Novosibirsk: , 2010 |
| Физ. характеристика: | с.542-545 |