Инд. авторы: | Жуков В.П., Федорук М.П. |
Заглавие: | Конечно-разностный метод для вычисления основного состояния наноструктур в шестизонном kp приближении |
Библ. ссылка: | Жуков В.П., Федорук М.П. Конечно-разностный метод для вычисления основного состояния наноструктур в шестизонном kp приближении // Вычислительные технологии. - 2010. - Т.15. - № 6. - С.57-75. - ISSN 1560-7534. - EISSN 2313-691X. |
Внешние системы: | РИНЦ: 15553484; |
Реферат: | eng: A compact, divergent and Hermitian finite-difference analog of the Schrodinger operator of a 6-band k х p model was suggested. An implicit iteration method for the calculation of the ground and the first excited states of this operator was described. It is shown, that in the case of spatially dependent effective masses, the k х p model allows different formulations. Some of these formulations have nonphysical spectrum. rus: Предложен компактный, дивергентный и эрмитовый конечно-разностный ана- лог оператора Шредингера для шестизонной k р-модели. Описан неявный итера- ционный метод поиска основного и первого возбужденного состояний этого конечно- разностного оператора. Показано, что обобщение шестизонной k р-модели на слу- чай зависящих от пространственных координат эффективных масс имеет различ- ный вид. Спектр некоторых вариантов такого обобщения нефизичен. |
Ключевые слова: | Implicit finite-difference scheme; Effective mass; Schrodinger operator; Quantum dot; 6-band k х p model; собственная функция; неявная конечно-разностная схема; эффективная масса; Оператор Шредингера; квантовая точка; шестизонная k р-модель; Eigenfunction; |
Издано: | 2010 |
Физ. характеристика: | с.57-75 |
Цитирование: | 1. VOIGTLANDER В. Fundamental processes in Si/Si and Ge/Si epitaxy studied by scanning tunneling microscopy during growth / / Surface Sci. Rep. 2001. Vol. 43. P. 127-254. 2. БЕРМАН Г. П., ДУЛЕН Г. Д., МАЙНЬЕРИ P., ЦИФРИНОВИЧ В. И. Введение в квантовые компьютеры. Москва; Ижевск: Ин-т компьютерных исследований, 2004. 188 с. 3. НЕНАШЕВ А. В. Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge в Si. Дисс. ... канд. физ.-мат. наук. Новосибирск, ИФП СО РАН, 2004. 242 с. 4. БИР Г. Л., ПИКУС Е. Г. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972. 584 с. 5. КУНИН С. Вычислительная физика. М.: Наука, 1982. 518 с. 6. ЦУКАНОВ А. В. Зарядовый кубит па основе одноэлектронной донорской пары с оптическим и электростатическим управлением / / Тр. физико-технолог, ин-та. 2008. Т. 19. С. 7-22. 7. STIER О., BIMBERG D. Modeling of strained quantum wires using eight-band k p theory / / Phvs. Rev. B. 1997. Vol. 55, No. 12. P. 7726-7732. 8. STIER O., GRUNDMANN M., BIMBERG D. Electronic and optical properties of strained quantum dots modeled bv 8-band k p theory / / Ibid. 1999. Vol. 59, No. 8. P. 5688-5701. |