Инд. авторы:	Исаенко Л.И., Елисеев А.П, Колкер Д.Б., Веденяпин В.Н., Журков С.А., Ерушин Е.Ю., Костюкова Н.Ю., Бойко А.А., Шур В.Я., Ахматханов А.Р., Чувакова М.А.
Заглавие:	Влияние температуры выращивания монокристаллов ktioaso4 на их физико-химические параметры и формирование доменных структур
Библ. ссылка:	Исаенко Л.И., Елисеев А.П, Колкер Д.Б., Веденяпин В.Н., Журков С.А., Ерушин Е.Ю., Костюкова Н.Ю., Бойко А.А., Шур В.Я., Ахматханов А.Р., Чувакова М.А. Влияние температуры выращивания монокристаллов ktioaso4 на их физико-химические параметры и формирование доменных структур // Квантовая электроника. - 2020. - Т.50. - № 8. - С.788-792. - ISSN 0368-7147.
Внешние системы:	РИНЦ: 44743141;
Реферат:	rus: Кристалл титанил арсената калия (KTiOAsO4, КТА) размером 50 × 80 × 60 мм выращен модернизированным методом Чохральского из раствор-расплава (TGGS) с понижением температуры от 900 до 770 °С в процессе вытягивания. Показано, что спектроскопические свойства участков кристаллов КТА, полученных при 900 и 770 °С, близки, тогда как электропроводность низкотемпературного (770 °C) участка КТА оказалась на порядок ниже, чем у высокотемпературного. Визуализация доменной структуры методом микроскопии генерации второй гармоники выявила более эффективное (сквозь образец) прорастание доменов в низкотемпературном КТА, что важно при изготовлении регулярной доменной структуры (РДС) в нелинейно-оптическом элементе на основе кристалла КТА. Установлено, что квантовая эффективность параметрической генерации света в РДС с использованием низкотемпературного КТА в несколько раз выше, чем при использовании высокотемпературного. Полученные результаты важны для оптимизации параметров РДС. eng: A potassium titanyl arsenate (KTiOAsO4, KTA) crystal 50 × 80 × 60 mm in size has been grown by upgraded Czochralski method from flux (TGGS) with a decrease in temperature from 900 to 770 °C during pulling. It is shown that the spectroscopic properties of the parts of KTA crystals grown at 900 and 770 °C are close, whereas the electrical conductivity of the low-temperature (770 °C) KTA part turned out to be an order of magnitude lower than that of the high-temperature part. Visualisation of the domain structure by second-harmonic generation microscopy revealed a more efficient domain intergrowth (throughout the sample) in the low-temperature KTA, which is important for forming a regular domain structure (RDS) in a KTA-based nonlinear optical element. It is established that the quantum efficiency of parametric generation of light in the RDS formed in low-temperature KTA is several times higher than in the case of high-temperature KTA. The results obtained are important for optimising RDS parameters.
Ключевые слова:	регулярные доменные структуры; спектры поглощения; кристалл титанил арсената калия; Parametric generation of light; regular domain structures; absorption spectra; potassium arsenate titanyl crystal; параметрическая генерация света;
Издано:	2020
Физ. характеристика:	с.788-792
Цитирование:	1. Shur V. Ya., Pelegova E. V., Akhmatkhanov A. R., Baturin I. S., Ferroelectrics, 496 (2016), 49 2. Byer R. L., J. Nonlinear Opt. Phys. Mater., 6 (1997), 549 3. Hum D. S., Fejer M. M., Comptes Rendus Phys., 8 (2007), 180 4. Zukauskas A., Pasiskevicius V., Laurell F., Canalias C., Opt. Mater. Express, 3 (2013), 1444 5. Zeil P., Zukauskas A., Tjörnhammar S., Canalias C., Pasiskevicius V., Laurell F., Opt. Express, 21 (2013), 30453 6. Cheng L. K., Bierlein J. D., Ferroelectrics, 142 (1993), 209 7. Hansson G., Karlsson H., et al., Appl. Opt., 39 (2000), 5058 8. Nikogosyan D. N., Nonlinear Optical Crystals. A Complete Survey, Springer, New York, 2005 9. Zukauskas A., Thilmann N., Pasiskevicius V., Laurell F., Canalias C., Appl. Phys. Lett., 95 (2009), 191103 10. Fradkin-Kashi K., Arie A., Urenski P., Rosenman G., Opt. Lett., 25 (2000), 743 11. Rosenman G., Skliar A., Findling Y., Urenski P., Englander A. S., Thomas P. A., Hu Z. W., J. Phys. D, 32 (1999), L49 12. Нюшков Б. Н., Пивцов В. С., Коляда Н. А., Каплун А. Б., Мешалкин А. Б., Квантовая электроника, 45 (2015), 486 12. Quantum Electron., 45 (2015), 486 13. Zhao H., Lima I. T., Jr., Major A., Laser Phys., 20 (2010), 1404 14. Akhmatkhanov A. R., Chuvakova M. A., Kipenko I. A., Dolgushin N. A., Kolker D. B., Vedenyapin V. N., Isaenko L. I., Shur V. Ya., Appl. Phys. Lett., 115 (2019), 212901 15. Isaenko L. I., Merkulov A. A., Tjurikov V. I., Atuchin V. V., Sokolov L. V., Trukhanov E. M., J. Cryst. Growth, 171 (1997), 146 16. Bierlein J. D., Vanherzeele H., Ballman A. A., Appl. Phys. Lett., 54 (1989), 783 17. Kung A. H., Opt. Lett., 20 (1995), 1107 18. Kong Y., Zhang W., Xu J., Yan W., Liu H., Xie X., Li X., Shi L., Zhang G., Infrared Physics & Technology, 45 (2004), 281 19. Morris P. A., Crawford M. K., Jones B., J. Appl. Phys., 72 (1992), 5371 20. Angert N., Tseitlin M., et al., Appl. Phys. Lett., 67:13 (1995), 1941 21. Roth M., Angert N., Tseitlin M., Alexandrovski A., Opt. Mater., 16 (2001), 131 22. Tu C.-S., Guo A. R., Tao R., Katiyar R. S., Guo R., Bhalla A. S., J. Appl. Phys., 79 (1996), 3235