Electrical transport properties of nb and ga double substituted fe<sub>2</sub>val heusler compounds

Voronin A.I.; Serhiienko I.A.; Ashim Y.Z.; Kurichenko V.L.; Novitskii A.P.; Khovaylo V.V.; Inerbaev T.M.; Umetsu R.

doi:10.1134/S1063782619130207

Инд. авторы:	Voronin A.I., Serhiienko I.A., Ashim Y.Z., Kurichenko V.L., Novitskii A.P., Khovaylo V.V., Inerbaev T.M., Umetsu R.
Заглавие:	Electrical transport properties of nb and ga double substituted fe₂val heusler compounds
Библ. ссылка:	Voronin A.I., Serhiienko I.A., Ashim Y.Z., Kurichenko V.L., Novitskii A.P., Khovaylo V.V., Inerbaev T.M., Umetsu R. Electrical transport properties of nb and ga double substituted fe₂val heusler compounds // Semiconductors. - 2019. - Vol.53. - Iss. 13. - P.1856-1859. - ISSN 1063-7826. - EISSN 1090-6479.
Внешние системы:	DOI: 10.1134/S1063782619130207; РИНЦ: 43219157;
Издано:	2019
Физ. характеристика:	с.1856-1859