Инд. авторы:	Das P.K., Whitcher T.J., Chi X., Diao C.Z., Breese M.B., Rusydi A., Castro-neto A.H., Wee A.T., Feng Y.P., Yang M., Lin W., Chen J.S., Vobornik I., Fujii J., Kokh K.A., Tereshchenko O.E., Moon J., Oh S.
Заглавие:	Electronic correlation determining correlated plasmons in sb-doped b i2 s e3
Библ. ссылка:	Das P.K., Whitcher T.J., Chi X., Diao C.Z., Breese M.B., Rusydi A., Castro-neto A.H., Wee A.T., Feng Y.P., Yang M., Lin W., Chen J.S., Vobornik I., Fujii J., Kokh K.A., Tereshchenko O.E., Moon J., Oh S. Electronic correlation determining correlated plasmons in sb-doped b i2 s e3 // Physical Review B. - 2019. - Vol.100. - Iss. 11. - Art.115109. - ISSN 2469-9950. - EISSN 2469-9969.
Внешние системы:	DOI: 10.1103/PhysRevB.100.115109; РИНЦ: 41679244;
Издано:	2019
Физ. характеристика:	115109