Контроль оптического качества вне диапазона максимальной прозрачности кристаллов

Лубенко Д.М.; Андреев Ю.М.; Кох К.А.; Ланский Г.В.; Лосев В.Ф.; Светличный В.А.

Инд. авторы:	Лубенко Д.М., Андреев Ю.М., Кох К.А., Ланский Г.В., Лосев В.Ф., Светличный В.А.
Заглавие:	Контроль оптического качества вне диапазона максимальной прозрачности кристаллов
Библ. ссылка:	Лубенко Д.М., Андреев Ю.М., Кох К.А., Ланский Г.В., Лосев В.Ф., Светличный В.А. Контроль оптического качества вне диапазона максимальной прозрачности кристаллов // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т.57. - № 12-3. - С.168-172. - ISSN 0021-3411.
Внешние системы:	РИНЦ: 23815775;
Реферат:	rus: Модифицированным методом Бриджмена выращены высококачественные кристаллы кристаллы e-GaSe:Te (0.01; 0.07; 0.38; 0.67 и 2.07 мас. %) гексагональной структуры. Оптимальный уровень легирования теллуром, обеспечивающий лучшее оптическое качество кристаллов, установлен равным 0.07 мас. %. Он определен предложенным абсорбционным методом по максимальным интенсивностям и минимальным спектральным ширинам фононного ( E ¢ ⁽²⁾на частоте ~ 0.584 ТГц) и экситонного пиков поглощения. Полученный результат подтвержден экспериментом по генерации терагерцевого излучения методом оптического выпрямления. eng: High optical quality e-GaSe:Te (0.01, 0.07, 0.38, 0.67 and 2.07 mas. %) crystals of hexagonal structure were grown by modified Bridgman method. Optimal doping level with Te is established as equal to 0.07 mas. %. It was established by the proposed absorption method through parameters of phonon ( E ¢ ⁽²⁾rigid mode at ~ 0.584 THz) and exciton absorption peaks. The result achieved is confirmed by an experiment on THz generation by optical rectification.
Ключевые слова:	экситон; легирование; теллур; оптическое качество; Phonon; exciton; doping; tellurium; Optical quality; GaSe; фонон;
Издано:	2014
Физ. характеристика:	с.168-172
Цитирование:	1. Dmitriev V.G., Young M. // Handbook for nonlinear optical crystals. - 3d ed. - Berlin: Springer, 1999. - V. 64. - P. 413. 2. Fernelius N.C. // Prog. Crystal Growth and Charact. - 1994. - V. 28. - P. 275-353. 3. Sergei Ya. Tochitsky, Chieh Sung, Sarah E. Trubnick, Chan Joshi, Vodopyanov Konstantin L. // J. Opt. Soc. Am. B. - 2007. - V. 24. - No. 9. - P. 2509-2516. 4. Zhang H.-Z., Kang Z.-H., Jiang Yu., Gao J.-Yu., Wu F.-G., Feng Z.-S., Andreev Yu.M., Lanskii G.V., Morozov A.N., Sachkova E.I., Sarkisov S.Yu. // Optics Express. - 2008. - V. 16. - No. 13. - P. 9951-9957. 5. Miyata K., Marchev G., Tyazhev A., Panyutin V., Petrov V. // CLEO 2011. P. CTuD2. 6. Guo J., Li D.-J., Xie J.-J., Zhang L.-M., Feng Z.-S., Andreev Yu.M., Kokh K.A., Lanskii G.V., Potekaev A.I., Shaiduko A.V., Svetlichnyi V.A. // Laser Physics Letters. - 2014. - V. 11. - No. 5. - P. 055401. 7. Kokh K.A., Nenashev B.G., Kokh A.E., Shvedenkov G.Yu. // J. Cryst. Growth. - 2005. - V. 275. - No. 1-2. - P. e2129-e2134. 8. Evtodiev I. // Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. - 2009. - V. 4. - No. 1. - P. 1-13.