Инд. авторы: Sessi P., Bathon T., Kokh K.A., Tereshchenko O.E., Bode M.
Заглавие: Single Electron Gating of Topological Insulators
Библ. ссылка: Sessi P., Bathon T., Kokh K.A., Tereshchenko O.E., Bode M. Single Electron Gating of Topological Insulators // Advanced Materials. - 2016. - Vol.28. - Iss. 45. - P.10073-10078. - ISSN 0935-9648. - EISSN 1521-4095.
Внешние системы: DOI: 10.1002/adma.201602413; SCOPUS: 2-s2.0-84989253978; WoS: 000392725200021;
Ключевые слова: topological insulators; scanning tunneling microscopy; molecules; ionization; hybrid heterostructures;
Издано: 2016
Физ. характеристика: с.10073-10078