Инд. авторы:	Горобчук А.Г.
Заглавие:	Моделирование полимеризации поверхности кремния в плазме CF4/H2
Библ. ссылка:	Горобчук А.Г. Моделирование полимеризации поверхности кремния в плазме CF4/H2 // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т.58. - № 9-3. - С.88-91. - ISSN 0021-3411.
Внешние системы:	РИНЦ: 25225105;
Реферат:	rus: Моделируется полимеризация поверхности кремния радикалами CF x при травлении в плазме CF 4/H 2. Модель плазмохимической кинетики включала расширенный набор газофазных реакций с участием F, F 2, CF 2, CF 3, CF 4, C 2F 6, H, H 2, HF, CHF 3, CH 2F 2. Показано, что большая часть фтора идет на формирование компоненты HF, что существенно снижает скорость травления кремния. На поверхности образца образуется адсорбционный слой CF 2, который при 40 % добавке H 2 полностью покрывает поверхность кремния и прекращает процесс травления. eng: In the paper the silicon surface polymerization by radicals CF x in CF 4/H 2 plasma was simulated. The model of plasma-chemical kinetics contained extended set of gas-phase reactions including the components F, F 2, CF 2, CF 3, CF 4, C 2F 6, H, H 2, HF, CHF 3, CH 2F 2. A most part of fluorine goes on formation of component HF, that essentially reduces the etching rate of silicon. On the wafer surface it is formed the adsorption layer CF 2, which at 40 % H 2 completely covers a silicon surface and stops the etching process.
Ключевые слова:	polymerization; Plasma-chemical etching; plasma-chemical reactors; Multicomponent gas mixtures; многокомпонентные смеси газов; полимеризация; плазмохимические реакторы; плазмохимическое травление;
Издано:	2015
Физ. характеристика:	с.88-91
Цитирование:	1. Grigoryev Yn.N., Gorobchuk A.G. // Numerical Simulation of Plasma-Chemical Processing Semiconductors, in Micro Electronic and Mechanical Systems. Kenichi Takahata / ed. inTech. - 2009. - P. 185-210. 2. Grigoryev Yn.N., Gorobchuk A.G. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. - 2015. - V. 9. - P. 184-189. 3. Grigoryev Yn.N., Gorobchuk A.G. // Russian Microelectronics. - 2014. - V. 43. - P. 34-41. 4. Grigoryev Yn.N., Gorobchuk A.G. // Russian Microelectronics. - 2007. - V. 36. - P. 321-332.