Инд. авторы:	Блохин А.М., Семисалов Б.В.
Заглавие:	Об алгоритме поиска распределения электрического потенциала в транзисторе dg-mosfet
Библ. ссылка:	Блохин А.М., Семисалов Б.В. Об алгоритме поиска распределения электрического потенциала в транзисторе dg-mosfet // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2013. - Т.53. - № 6. - Ст.979. - ISSN 0044-4669.
Внешние системы:	DOI: 10.7868/S0044466913060033; РИНЦ: 19086240;
Реферат:	rus: Предлагается и подробно описывается эффективный численный алгоритм для нахождения распределения электрического потенциала в транзисторе DG-MOSFET. В классе гидродинамических моделей, описывающих процесс переноса заряда в полупроводниках, содержится уравнение Пуассона для электрического потенциала. Вследствие нелинейности уравнений гидродинамических моделей, наличия в них малых параметров и специфических условий на границе области транзистора DG-MOSFET при поиске численных решений уравнения Пуассона возникают существенные сложности. Предлагается оригинальный алгоритм, основанный на методе установления и идеях схем без насыщения, позволяющий справиться с упомянутыми трудностями. Библ. 22. Фиг. 7. Табл. 3.
Издано:	2013
Физ. характеристика:	979
Цитирование:	1. Grasser Т., Tang T.-W., Kosina H., Selberher S. A rewiew of hydrodynamic and energy-transport models for semiconductor device simulation // Proc. IEEE 91. 2003. № 2. P. 251–274. 2. Hailiang Li, Markowich P.A. A review of hydrodynamical models for semiconductors: asymptotic behavior // Boletim da Sociedade Brasileira de Math. 2001. V. 32. № 3. P. 321–342. 3. Abdallah N.В., Degond P. On a hierarchy of macroscopic models for semiconductors // J. Math. Phys. 1996. V. 37. № 2. P. 3308–3333. 4. Blotekjaer K. Transport equations for electrons in two-valley semiconductors // IEEE Trans. Electron Devices. 1970. V. ED-17. P. 38–47. 5. Anile A.M., Romano V. Non parabolic band transport in semiconductors: closure of the moment equations // Cont. Mech. Thermodyn. 1999. V. 11. P. 307–325. 6. Romano V. Non parabolic band transport in semiconductors: closure of the production terms in the moment equations // Cont. Mech. Thermodyn. 2000. V. 12. P. 31–51. 7. Blokhin A.M., Bushmanov R.S., Rudometova et al. Linear asymptotic stability of the equilibrium state for the 2D MEP hydrodynamical model of charge transport in semiconductors // Nonlinear Analys. 2006. V. 65. P. 1018–1038. 8. Блохин А.М., Ибрагимова А.С., Семисалов Б.В. Конструирование вычислительных алгоритмов для задачи о баллистическом диоде // Ж. вычисл. матем. и матем. физ. 2010. Т. 50. № 1. С. 188–208. 9. Blokhin A.M., Boyarsky S.A., Semisalov B.V. On an approach to the construction of difference schemes for the moment equations of charge transport in semiconductors // Le Matematiche. 2009. V. LXIV. Fasc. I. P. 77–91. 10. Блохин А.М., Семисалов Б.В. Конструирование одного класса вычислительных схем в задаче о баллистическом диоде // Матем. моделирование. 2010. Т. 22. № 7. С. 3–21. 11. Блохин А.М., Ибрагимова А.С. К вопросу о вычислении электрического потенциала для 2D кремниевого транзистора с наноканалом из оксида кремния // Матем. моделирование. 2010. Т. 22. № 9. С. 79–94. 12. Блохин А.М., Ибрагимова А.С., Семисалов Б.В. Конструирование вычислительного алгоритма для системы моментных уравнений, описывающих перенос заряда в полупроводниках // Матем. моделирование. 2009. Т. 21. № 4. С. 15–34. 13. Blokhin A.M., Ibragimova A.S. Numerical method for 2D simulation of a silicon MESFET with a hydrodynamical model based on the maximum entropy principle // SIAM J. Sci. Comp. 2009. V. 31. Issue 3. P. 2015–2046. 14. Blokhin A.M., Semisalov B.V. Design of numerical algorithms for the problem of charge transport in a 2D silicon MOSFET transistor with a silicon oxide nanochannel // J. Phys.: Conf. Ser. 2011. V. 291. Art. 012016. URL: http://iopscience.iop.org/1742-6596/291/1/012016. 15. Блохин А.М., Семисалов Б.В., Ибрагимова А.С. Численный анализ задач переноса заряда в полупроводниковых устройствах. Saarbrucken, Germany: Palmarium Academic Publishing, 2012. 16. Бабенко К.И. Основы численного анализа. Москва; Ижевск: НИЦ “Регулярная и хаотическая динамика”, 2002. 17. Блохин А.М., Алаев Р.Д. Интегралы энергии и их приложения к исследованию устойчивости разностных схем. Новосибирск, 1993. 18. Haiyan Jiang, Wei Cai. Effect of boundary treatments on quantum transport current in the Green"s function and Wigner distribution methods for a nano-scale DG-MOSFET // J. Comp. Phys. 2010. V. 229. P. 4461–4475. 19. Romano V. 2D Numerical simulation of the MEP energy-transport model with a finite difference scheme // J. Comp. Phys. 2007. V. 221. P. 439–468. 20. Lab C., Caussignac P. An energy-transport model for semiconductor heterostructure devices: application to AlGaAs/GaAs MODFETs // COMPEL. 1999. V. 18. № 1. P. 61–76. 21. Березин И.С., Жидков Н.П. Методы вычислений. М.: Физматгиз, 1962. Т. 2. 620 с. 22. Мацокин А.М. Численные методы Ч. 1 (Курс лекций для студентов механ.-матем. фак-та НГУ и Высш. колледжа информатики) / А.М. Мацокин, С.Б. Сорокин. Новосибирск, 2006. 132 c.