Инд. авторы:	Блохин А.М., Семисалов Б.В.
Заглавие:	Численное решение задачи о переносе заряда в транзисторе dg-mosfet
Библ. ссылка:	Блохин А.М., Семисалов Б.В. Численное решение задачи о переносе заряда в транзисторе dg-mosfet // Математическое моделирование. - 2014. - Т.26. - № 8. - С.126-148. - ISSN 0234-0879.
Внешние системы:	РИНЦ: 22834382;
Реферат:	rus: Предлагается и подробно описывается эффективный численный алгоритм для поиска стационарных решений задачи о переносе заряда в транзисторе DG-MOSFET. Для математического описания процесса переноса заряда используется гидродинамическая MEP модель. Вследствие нелинейности уравнений данной модели, наличия в ней малых параметров и специфических условий на границах области транзистора DG-MOSFET при поиске численных решений возникают существенные сложности. Целью настоящей работы являются построение и реализация эффективного вычислительного алгоритма, основанного на методе установления, применении сглаживающих регуляризующих операторов и идей схем без насыщения, предназначенного для преодоления указанных сложностей.
Ключевые слова:	матричная прогонка; сплайн-функция; интерполяционный полином; алгоритмы без насыщения; нестационарная регуляризация; метод установления; стационарное решение; транзистор DG-MOSFET; гидродинамическая модель;
Издано:	2014
Физ. характеристика:	с.126-148
Цитирование:	1. Бабенко К. И., Основы численного анализа, НИЦ « 2. Блохин А. М., Алаев Р. Д., Интегралы энергии и их приложения к исследованию устойчивости разностных схем, Новосибирск, 1993 3. Anile A. M., Romano V., “Non parabolic band transport in semiconductors: closure of the moment equations”, Cont. Mech. Thermodyn., 11 (1999), 307-325 4. Romano V., “Non parabolic band transport in semiconductors: closure of the production terms in the moment equations”, Cont. Mech. Thermodyn., 12 (2000), 31-51 5. Romano V., “2D simulation of a silicon MESFET with a non-parabolic hydrodynamical model based on the maximum entropy principle”, J. Comp. Phys., 176 (2002), 70-92 6. Blokhin A. M., Bushmanov R. S., Rudometova et al., “Linear asymptotic stability of the equilibrium state for the 2D MEP hydrodynamical model of charge transport in semiconductors”, Nonlinear Analysis, 65 (2006), 1018-1038 7. Romano V., “2D Numerical Simulation of the MEP Energy-Transport Model with a Finite Difference Scheme”, J. Comp. Phys., 221 (2007), 439-468 8. Блохин А. М., Ибрагимова А. С., Семисалов Б. В., “Конструирование вычислительного алгоритма для системы моментных уравнений, описывающих перенос заряда в полупроводниках”, Мат. моделирование, 21:4 (2009), 15-34 9. Blokhin A. M., Ibragimova A. S., “Numerical method for 2D Simulation of a Silicon MESFET with a Hydrodynamical Model Based on the Maximum Entropy Principle”, SIAM J. Sci. Comp., 31:3 (2009), 2015-2046 10. Blokhin A. M., Ibragimova A. S., “1D numerical simulation of the MEP mathematical model in the ballistic diode problem”, J. of Kinetic and Related Models, 2:1 (2009), 81-107 11. Blokhin A. M., Boyarsky S. A., Semisalov B. V., “On an approach to the construction of difference schemes for the moment equations of charge transport in semiconductors”, Le Matematiche, LXIV:I (2009), 77-91 12. Блохин А. М., Ибрагимова А. С., Семисалов Б. В., “Конструирование вычислительных алгоритмов для задачи о баллистическом диоде”, Выч. мат. и мат. физ., 50:1 (2010), 188-208 13. Блохин А. М., Ибрагимова А. С., “К вопросу о вычислении электрического потенциала для 2D кремниевого транзистора с наноканалом из оксида кремния”, Мат. моделирование, 22:9 (2010), 79-94 14. Блохин А. М., Семисалов Б. В., “Конструирование одного класса вычислительных схем в задаче о баллистическом диоде”, Мат. моделирование, 22:7 (2010), 3-21 15. Blokhin A. M., Semisalov B. V., “Design of numerical algorithms for the problem of charge transport in a 2D silicon MOSFET transistor with a silicon oxide nanochannel”, J. Phys.: Conf. Ser., 291 (2011), 012016 16. Блохин А. М., Семисалов Б. В., Ибрагимова А. С., Численный анализ задач переноса заряда в полупроводниковых устройствах, Palmarium Academic Publishing, Saarbrucken, Germany, 2012 17. Haiyan Jiang, Wei Cai, “Effect of boundary treatments on quantum transport current in the Green's function and Wigner distribution methods for a nano-scale DG-MOSFET”, J. Comp. Phys., 229 (2010), 4461-4475 18. Lab C., Caussignac P., “An energy-transport model for semiconductor heterostructure devices: application to AlGaAs/GaAs MODFETs”, COMPEL, 18:1 (1999), 61-76 19. Березин И. С., Жидков Н. П., Методы вычислений, т. 2, Физматгиз, М., 1962, 620 с. 20. Самарский А. А., Разностные схемы газовой динамики, Наука, М., 1975, 350 с. 21. Блохин А. М., Семисалов Б. В., “Один алгоритм поиска распределения электрического потенциала в транзисторе DG-MOSFET”, Выч. мат. и мат. физ., 53:6 (2013), 979-1003 22. Блохин А. М., Иорданиди А. А., Меражов И. З., Численное исследование одной гидродинамической модели переноса заряда в полупроводниках, Препринт № 33, РАН. Сиб. отд-ние. Ин-т математики, Новосибирск, 1996, 51 с. 23. Pinchukov V. I., “Adaptive operators of smoothness of arbitrary order”, Comp. Tech., Proc. ICT SD RAS, 2, no. 6, 1993, 232-245 24. Pinchukov V. I., “Algorithms monotonization of schemes of advanced exactness for equations of type”, Simulation in Mechanics, Proc. IATM SD RAS, 7(24), no. 2, 1993, 150-159