Исследование методом эпр германий-вакансионного дефекта в алмазе

Надолинный В.А.; Комаровских А.Ю.; Пальянов Ю.Н.; Куприянов И.Н.; Борздов Ю.М.; Рахманова М.И.; Юрьева О.П.; Вебер С.Л.

doi:10.15372/JSC20160528

Инд. авторы:	Надолинный В.А., Комаровских А.Ю., Пальянов Ю.Н., Куприянов И.Н., Борздов Ю.М., Рахманова М.И., Юрьева О.П., Вебер С.Л.
Заглавие:	Исследование методом эпр германий-вакансионного дефекта в алмазе
Библ. ссылка:	Надолинный В.А., Комаровских А.Ю., Пальянов Ю.Н., Куприянов И.Н., Борздов Ю.М., Рахманова М.И., Юрьева О.П., Вебер С.Л. Исследование методом эпр германий-вакансионного дефекта в алмазе // Журнал структурной химии. - 2016. - Т.57. - № 5. - С.1092-1094. - ISSN 0136-7463.
Внешние системы:	DOI: 10.15372/JSC20160528; РИНЦ: 26591772;
Реферат:	eng: EPR and luminescence methods are used to study diamonds synthesized in the Mg_0.9-Ge_0.1-C system at high pressures and temperatures (HPHT). In the EPR spectra of the Ge doped samples, along with an impurity nitrogen atom (Р1 center) and a silicon-vacancy defect SiV⁰ (KUL1 center) a new paramagnetic center GeV with the spin S = 1 and D _{3 d} symmetry is detected. The studies performed show that this center has the structure of a double half-vacancy in the center of which there is a germanium atom. The observed GeV center is in the neutral charge state and is responsiblefor the 602 nm systems in the photoluminescence spectra. rus: Методами ЭПР и люминесценции исследованы алмазы, синтезированные в системе Mg_0,9-Ge_0,1-C при высоких давлениях и температурах (high pressure high temperatu- re - HPHT). В спектрах электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) образцов, легированных Ge, наряду с примесным азотом (Р1 центр) и кремний-вакансионным дефектом SiV⁰ (KUL1 центр) регистрируется новый парамагнитный центр GeV со спином S = 1 и симметрией D _{3 d}. Проведенные исследования показали, что данный центр имеет структуру двойной полувакансии, в центре которой находится атом германия. Наблюдаемый центр GeV находится в нейтральном зарядовом состоянии и отвечает за систему 602 нм в спектрах фотолюминесценции (ФЛ).
Ключевые слова:	defect; luminescence; Epr; diamond; германий; дефект; люминесценция; электронный парамагнитный резонанс; алмаз; germanium;
Издано:	2016
Физ. характеристика:	с.1092-1094
Цитирование:	1. 1. Rabeau J.R., Chin Y.L., Prawer S. et al. // Appl. Phys. Lett. - 2005. - 86. - P. 131926. 2. 2. Aharonovich I., Castelletto S., Johnson B.C. et al. // New J. Phys. - 2011. - 13. - P. 045015. 3. 3. Pezzagna S., Rogalla D., Wildanger D. et al. // New J. Phys. - 2011. - 13. - P. 035024. 4. 4. Orwa J.O., Greentree A.D., Aharonovich I. et al. // J. Lumin. - 2010. - 130. - P. 1646. 5. 5. Iwasaki T., Ishibashi F., Miyamoto Y. et al. // Scientific Reports. - 2015. - 5. - P. 12882. 6. 6. Ralchenko V.G., Sedov V.S., Khomich A.A. et al. // Bull. Lebedev Phys. Inst. - 2015. - 42. - P. 165. 7. 7. Palyanov Yu.N., Kupriyanov I.N., Borzdov Yu.M. et al. // Scientific Reports. - 2015. - 5. - P. 14789. 8. 8. Ekimov E.A., Lyapin S.G., Boldyrev K.N. et al. // JETP Lett. - 2015. - 102. - P. 811. 9. 9. Palyanov Yu.N., Borzdov Yu.M., Khokhryakov A.F. et al. // Cryst. Growth Des. - 2010. - 10. - P. 3169. 10. 10. Edmonds A.M., Newton M.E., Martineau P.M. et al. // Phys. Rev. B. - 2008. - 77. - P. 245205. 11. 11. Nadolinny V., Komarovskikh A., Palyanov Y. et al. // Phys. Status Solidi A. - 2015. - 212. - P. 2460. 12. 12. Robledo L., Bernien H., Weperen I. et al. // Phys. Rev. Lett. - 2010. - 105. - P. 177403.