Инд. авторы:	Астраков С.Н., Голушко С.К., Короленко Л.А.
Заглавие:	Оптимальные формы сосудов давления при заданных ограничениях на кривизну
Библ. ссылка:	Астраков С.Н., Голушко С.К., Короленко Л.А. Оптимальные формы сосудов давления при заданных ограничениях на кривизну // Проблемы оптимизации и экономические приложения: материалы VI Международной конференции (Омск, 28 июня – 4 июля 2015 г.). - 2015. - P.142-142. - ISBN 978-5-7779-1863-5.
Внешние системы:	РИНЦ: 24055952;
Реферат:	eng: In the frame of hydrodynamical approach a technology of plasma-chemical etching silicon in CF4/H2 plasma was simulated. The model of plasma-chemical kinetics contained 28 gas-phase reactions including the components F, F2, CF2, CF3, CF4, C2F6, H, H2, HF, CHF3, CH2F2. In the etching process a most part of fluorine goes on formation of component HF, that essentially reduces the etching rate of silicon. On the wafer surface it is formed the adsorption layer CF2, which at 40 % H2 completely covers a silicon surface and stops the etching process.
Ключевые слова:	вариационное исчисление; изоэпифанные задачи; сосуды давления;
Издано:	2015
Физ. характеристика:	с.142-142
Конференция:	Название: VI Международная конференция "Проблемы оптимизации и экономические приложения" Город: Омск Страна: Россия Даты проведения: 2015-06-28 - 2015-07-04
Цитирование:	1. Golushko S.K. The analysis of behaviour of multilayered nodoid shells on the basis of non-classical theory // Computational Science and High Performance Computing II / The 2nd Russian-German Advanced Research Workshop, Stuttgart, Germany, March 14 to 16, 2005. - P. 205-216. 2. Голушко С.К., Немировский Ю.В. Прямые и обратные задачи механики упругих композитных пластин и оболочек вращения. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. - 432 с. - ISBN 978-5-9221-0948-2.