Инд. авторы:	Астраков С.Н., Голушко С.К.
Заглавие:	Обобщенные изопериметрические и изоэпифанные задачи
Библ. ссылка:	Астраков С.Н., Голушко С.К. Обобщенные изопериметрические и изоэпифанные задачи // Проблемы оптимизации и экономические приложения: материалы VI Международной конференции (Омск, 28 июня – 4 июля 2015 г.). - 2015. - P.141-141. - ISBN 978-5-7779-1863-5.
Внешние системы:	РИНЦ: 24055949;
Реферат:	eng: In the frame of hydrodynamical approach a technology of plasma-chemical etching silicon in CF4/H2 plasma was simulated. The model of plasma-chemical kinetics contained 28 gas-phase reactions including the components F, F2, CF2, CF3, CF4, C2F6, H, H2, HF, CHF3, CH2F2. In the etching process a most part of fluorine goes on formation of component HF, that essentially reduces the etching rate of silicon. On the wafer surface it is formed the adsorption layer CF2, which at 40 % H2 completely covers a silicon surface and stops the etching process.
Ключевые слова:	минимальные поверхности; изопериметрические и изоэпифанные задачи;
Издано:	2015
Физ. характеристика:	с.141-141
Конференция:	Название: VI Международная конференция "Проблемы оптимизации и экономические приложения" Город: Омск Страна: Россия Даты проведения: 2015-06-28 - 2015-07-04
Цитирование:	1. Astrakov S.N., Golushko S.K. Design of multisection pressure tanks // The International conference "Advanced mathematics, computations and applications - 2014". - Novosibirsk, Russia, 2014. - P. 73.