Effect of rf discharge structure on silicon etching in cf <sub>4</sub>/o<sub>2</sub>

Grigoryev Y.N.; Gorobchuk A.G.

Инд. авторы:	Grigoryev Y.N., Gorobchuk A.G.
Заглавие:	Effect of rf discharge structure on silicon etching in cf ₄/o₂
Библ. ссылка:	Grigoryev Y.N., Gorobchuk A.G. Effect of rf discharge structure on silicon etching in cf ₄/o₂ // 2010 27th International Conference on Microelectronics, MIEL 2010 - Proceedings: 2010 27th International Conference on Microelectronics, MIEL 2010 / sponsors: IEEE Electron Devices Society. - 2010. - Nis. - P.135-138. - ISBN: 9781424472017.
Внешние системы:	РИНЦ: 15322899;
Издано:	2010
Физ. характеристика:	с.135-138
Конференция:	Название: 27th International Conference on Microelectronics, MIEL 2010 Аббревиатура: MIEL 2010 Даты проведения: 2010-05-16 - 2010-05-19