Инд. авторы:	Gadiyak G.V., Lazareva G.G.
Заглавие:	Simulation of oxygen diffusion in silicon
Библ. ссылка:	Gadiyak G.V., Lazareva G.G. Simulation of oxygen diffusion in silicon // Russian Microelectronics. - 1999. - Vol.28. - Iss. 1. - P.34-42. - ISSN 1063-7397. - EISSN 1608-3415.
Внешние системы:	РИНЦ: 13314393;
Издано:	1999
Физ. характеристика:	с.34-42