Цитирование: | 1. Akkerman Z.L., Fainer N.I., Kosinova M.L. et al. // Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 1992. Vol. 1783. P. 530--540
2. Akkerman Z.L., Kosinova M.L., Fainer N.I. et al. // Thin Solid Films. 1995. Vol. 260. P. 156--160
3. Polyakov O.V., Badalian M.V. // Phys. Stat. Sol. (b) 1994. Vol. 185. P. K1--K4
4. Ржанов А.В. Нитрид кремния в электронике. Новосибирск: Наука, 1982. 312 с
5. Аккерман З.Л., Храмова Л.В., Смирнова Т.П. и др. // Неорган. материалы. 1990. Т. 26. N 5. С. 988--992
6. Аккерман З.Л., Храмова Л.В., Смирнова Т.П. и др. // Неорган. материалы. 1990. Т. 26. N 5. С. 993--995
7. Chramova L.V., Chusova T.P., Kokovin G.A. // Thin Solid Films. 1987. Vol. 147. P. 267--273
8. Гриценко В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах. Новосибирск: Наука, 1993. 278 с
9. Robertson J. // Philosophical Magazine B. 1994. Vol. 69. N 2. P. 307--326
10. Warren W.L., Robertson J., Kanicki J. // Appl. Phys. Lett. 1993. P. 2685-2697
11. Гадияк Г.В. // ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 3. С. 257--263
12. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник. Киев: Наукова думка, 1978. 313 с
13. Stein H.J. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. // 1986. Vol. 59. P. 523--531
14. Качурин Г.А., Тысченко И.Е. // Микроэлектроника. 1994. Т. 23. Вып. 6. C. 3-12
15. Deal B.E., Grove A.S. // J. Appl. Phys. 1965. Vol. 36. P. 3770--3785
16. Храмова Л.В., Чусова Т.П., Гриценко В.А. и др. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1984. Т. 1. С. 10--11
|