Инд. авторы:	Горобчук А.Г., Григорьев Ю.Н.
Заглавие:	Моделирование плазмохимической технологии травления кремния в смеси CF4/H2
Библ. ссылка:	Горобчук А.Г., Григорьев Ю.Н. Моделирование плазмохимической технологии травления кремния в смеси CF4/H2 // Всероссийская научно-техническая конференция "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)". Сборник трудов. - 2014. - № 2. - С.137-140.
Внешние системы:	РИНЦ: 22105564;
Реферат:	rus: В рамках гидродинамического приближения моделируется технология плазмохимического травления кремния в плазме CF 4/H 2. Модель плазмохимической кинетики включала 28 определяющих газофазных реакций с участием F, F 2, CF 2, CF 3, CF 4, C 2F 6, H, H 2, HF, CHF 3, CH 2F 2. Показано, что большая часть фтора идет на формирование компоненты HF, что существенно снижает скорость травления кремния. На поверхности образца образуется адсорбционный слой CF 2, который при 40% добавке H 2 полностью покрывает поверхность кремния и прекращает процесс травления. eng: In the frame of hydrodynamic approach the technology of plasma-chemical etching of silicon in CF4/H2 plasma was simulated. The model of plasma-chemical kinetics contained 28 gas-phase reactions including the components F, F2, CF2, CF3, CF4, C2F6, H, H2, HF, CHF3, CH2F2. The most part of fluorine goes on formation of component HF, that essentially reduces the etching rate of silicon. On the wafer surface it is formed the adsorption layer CF2, which at 40% H2 completely covers a silicon surface and stops the etching process.
Ключевые слова:	плазмохимическое травление; Multicomponent gas mixtures; plasma-chemical reactors; Plasma-chemical etching; mathematical modeling; плазмохимические реакторы; многокомпонентные смеси газов; математическое моделирование;
Издано:	2014
Физ. характеристика:	с.137-140
Цитирование:	1. Grigoryev Yu.N., Gorobchuk A.G. Numerical Simulation of Plasma-Chemical Processing Semiconductors // Micro Electronic and Mechanical Systems / Ed. by Kenichi Takahata. Publisher: In-Tech Education and Publishing. 2009. P. 185 - 210. 2. Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Эффекты неизотермичности в плазмохимическом реакторе травления // Микроэлектроника. 1998. Т. 27. № 4. С. 294 - 303. 3. Venkatesan S.P., Trachtenberg I., Edgar T.F. Modeling of silicon etching in CF4/O2 and CF4/H2 plasmas // Journal of the electrochemical society. 1990. V. 137, № 7. P. 2280 -2290. 4. Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Влияние структуры ВЧ-разряда на неоднородность травления в плазмохимическом реакторе // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. № 6. С. 454 - 462. 5. Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Особенности интенсификации травления кремния в CF4/O2 // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 5. С. 368 - 379.