| Инд. авторы: | Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. |
| Заглавие: | Особенности интенсификации травления кремния в плазме CF4/O2* |
| Библ. ссылка: | Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Особенности интенсификации травления кремния в плазме CF4/O2* // Микроэлектроника. - 2007. - Т.36. - № 5. - С.368-379. - ISSN 0544-1269. |
| Внешние системы: | РИНЦ: 9534372; |
| Реферат: | rus: На основе численного моделирования исследуется влияние концентрации кислорода на скорость травления кремния в плазме CF4/O2. Расчеты выполнены с использованием усовершенствованной физической модели неизотермического реактора с многокомпонентной кинетикой, включающей 12 реагентов F, F2, CF2, CF3, CF4, C2F6, O, O2, CO, CO2, COF, COF2. В качестве основного механизма, снижающего скорость травления, рассматривалась “конкуренция” процессов взаимодействия фтора с кремнием и хемосорбции кислорода на поверхности образца. Предложена усовершенствованная модель описания конкурирующих процессов травления, хемосорбции O и адсорбции радикалов CF2, CF3 на кремнии. Изучено влияние параметров модели на скорость травления. Найдено, что хемосорбция O на кремнии преобладает над процессами адсорбции радикалов CF2, CF3. Показано существенное влияние отношения коэффициентов прилипания атомов фтора и кислорода на кремнии на положение максимумов скорости спонтанного травления и концентрации активных частиц в зависимости от процентного содержания кислорода в смеси. Найдено, что при равенстве этих коэффициентов максимум скорости спонтанного травления достигается при концентрации кислорода, на 1015% меньшей соответствующей максимуму содержания активного фтора в объеме реактора.
|
| Издано: | 2007 |
| Физ. характеристика: | с.368-379 |
| Цитирование: | 1. Mogab C.J., Adams A.C., Flamm D.L. Plasma etching of Si and SiO2 – The effect of oxygen additions to CF4 plasmas // Journal of applied physics. 1978. V. 49. № 7. P. 3796–3803.
2. Grigoryev Yu.N., Gorobchuk A.G. Peculiarities of Si films etching in CF4 paren gas // Proceedings of 22 International Conference on Microelectronics MIEL"2000. Nis, 2000. P. 289–292.
3. Grigoryev Yu.N., Gorobchuk A.G. Numerical Simulation of plasma-chemical reactors // Notes on numerical fluid mechanics and multidisciplinary design. Computational Science and High Performance Computing. Eds. Egon Krause, Yurii I. Shokin, Michael Resch, Nina Shokina. Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2005. V. 88. P. 229–251.
4. Venkatesan S.P., Trachtenberg I., Edgar T.F. Modeling of silicon etching in CF4/O2 and CF4/H2 plasmas // Journal of the electrochemical society. 1990. V. 137. № 7. P. 2280–2290.
5. Schoenborn Ph., Patrick R., Baltes H.P. Numerical simulation of a CF4/O2 plasma and correlation with spectroscopic and etch rate data // Journal of the electrochemical society. 1989. V. 136. № 1. P. 199–205.
6. Plumb I.C., Ryan K.R. A model of the chemical processes occurring in CF4/O2 discharges used in plasma etching // Plasma chemistry and plasma processing. 1986. V. 6. № 3. P. 205–230.
7. Park Syng-Kyu, Economou D.J. A mathematical model for etching of silicon using CF4 in radial flow plasma reactor // Journal of the electrochemical society. 1991. V. 138. № 5. P. 1499–1508.
8. Kopalidis P.M., Jorine J. Modeling and experimental studies of a reactive ion etcher using SF6/O2 chemistry // Journal of the electrochemical society. 1993. V. 140. № 10. P. 3037–3045.
9. Гиршфельдер Дж., Кертисс Ч. и Берд Р. Молекулярная теория газов и жидкостей: Пер. с англ. / Под ред. Е.В. Ступоченко. М.: Издательство иностранной литературы, 1961. С. 932.
10. Flamm D.L., Donnely V.M., Mucha J.A. The Reaction of Fluorine Atoms with Silicon // Journal of Applied Physics. 1981. V. 52. № 5. P. 3633-3639.
11. Ферцигер Дж., Капер К. Математическая теория процессов переноса в газах. М.: Мир, 1976.
|