| Инд. авторы: | Горобчук А.Г. |
| Заглавие: | Моделирование технологии плазмохимического травления полупроводниковых материалов в вч разряде |
| Библ. ссылка: | Горобчук А.Г. Моделирование технологии плазмохимического травления полупроводниковых материалов в вч разряде // Научные труды SWorld. - 2012. - Т.8. - № 1. - С.3-5. - ISSN 2224-0187. |
| Внешние системы: | РИНЦ: 17731236; |
| Ключевые слова: | плазмохимическое травление; плазмохимические реакторы; многокомпонентные смеси газов; математическое моделирование; |
| Издано: | 2012 |
| Физ. характеристика: | с.3-5 |
| Цитирование: | 1. Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Эффекты неизотермичности в плазмохимическом реакторе травления // Микроэлектроника. - 1998. - Т.27. - №4. - С. 294 - 303.
2. Горобчук А.Г., Григорьев Ю.Н. Влияние ВЧ-разряда на процесс плахмохимического травления кремния в CF4/O2 // Вычислительные технологии. - 2007. - Т. 12. - № 5. - С.51 - 66.
3. Grigoryev Yu.N., Gorobchuk A.G. Development of plasma-chemical etching model based on numerical simulatin of RF-discharge // Proceedings of International conference on the methods of aerophysical research. ICMAR 2010. (1-6 November 2010. Novosibirsk, Russia). -2010. -ITAM SB RAS. -P. 1-8.
|