Инд. авторы:	Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г.
Заглавие:	Моделирование плазмохимической технологии травления в ВЧ разряде
Библ. ссылка:	Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Моделирование плазмохимической технологии травления в ВЧ разряде // Всероссийская научно-техническая конференция . - 2012. - № 1. - С.217-220.
Внешние системы:	РИНЦ: 17956207;
Реферат:	rus: В рамках гидродинамического приближения моделируется технология плазмохимического травления кремния в ВЧ-разряде CF4/O2. Расчеты выполнены с использованием математической модели неизотермического реактора, в которой движение газовой смеси описывалось уравнениями многокомпонентной гидродинамики с учетом конвективно-диффузионного переноса отдельных компонент смеси. Для определения характеристик низкотемпературной плазмы использовалась гидродинамическая модель аксиально-симметричного ВЧ-разряда в трехмоментном приближении, включающая решение уравнений непрерывности для электронов и положительных ионов, уравнение баланса энергии электронов и уравнение Пуассона для электрического потенциала. Исследовано влияние структуры ВЧ-разряда и многокомпонентной плазменной кинетики на производство и массообмен активных частиц в плазмохимическом реакторе травления. eng: Within the scope of hydrodynamic approach the plasma-chemical etching technology of silicon in CF4/O2 RF discharge was simulated. The calculations were carried out based on mathematical model of nonisothermal plasma-chemical reactor. In the model the gas flow was described by the equations of multicomponent physical-chemical hydrodynamics taking into account the convective-diffusion transfer of independent mixture components. For the calculations of main characteristics of low-temperature plasma the hydrodynamic model of axi-symmetric RF discharge in the three-moment approach was used including the solutions of continuity equations for electrons and positive ions, electron energy balance equation and Poisson equation for electric potential. The effect of RF discharge structure and multicomponent plasma kinetics on the production and masstransfer of active particles in the plasma-chemical etching reactor was studied.
Ключевые слова:	математическое моделирование; Plasma-chemical etching; plasma-chemical reactors; Multicomponent gas mixtures; плазмохимическое травление; плазмохимические реакторы; многокомпонентные смеси газов; mathematical modeling;
Издано:	2012
Физ. характеристика:	с.217-220
Цитирование:	1. Graves D.B., Jensen K.F. A continuum model of DC and RF discharges // IEEE Transactions on plasma science. -1986. - V. PS-14. - P.78 -91. 2. Lymberopoulos D.P., Economou D.J. Fluid simulation of glow discharges: effect of metastable atoms in argon // Journal of applied physics. - 1993. - V. 73 - P. 3668 -3679. 3. Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Эффекты неизотермичности в плазмохимическом реакторе травления // Микроэлектроника. - 1998. - Т.27. - №4. - С. 294 - 303. 4. Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Особенности интенсификации травления кремния в CF4/O2 // Микроэлектроника. - 2007. - Т. 36. - № 4. - С. 283 - 294. 5. Горобчук А.Г., Григорьев Ю.Н. Влияние ВЧ-разряда на процесс плазмохимического травления кремния в CF4/O2 // Вычислительные технологии. - 2007. - Т. 12. -№ 5. - С.51 - 66. 6. Grigoryev Yu.N., Gorobchuk A.G. Numerical Simulation of Plasma-Chemical Processing Semiconductors // Micro Electronic and Mechanical Systems / Ed. by Kenichi Takahata. - Publisher: In-Tech Education and Publishing. -2009. - P. 185 - 210. 7. Scharfetter D.L., Gummel H.K. Large-signal analysis of a silicon read diode oscillator // IEEE Transactions on electron devices. - 1969. - V. ED-16, - P. 64 - 77. 8. Ting Wei Tang. Extension of the Scharfetter-Gummel algoritm to the energy balance equation // IEEE Transactions on electron devices. - 1984. - V. ED-31. - P. 1912 - 1914.