Инд. авторы:	Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г.
Заглавие:	Численная модель ВЧ-разряда в плазмохимическом реакторе
Библ. ссылка:	Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Численная модель ВЧ-разряда в плазмохимическом реакторе // Вычислительные технологии. - 2013. - Т.18. - № 5. - С.58-73. - ISSN 1560-7534. - EISSN 2313-691X.
Внешние системы:	РИНЦ: 20345328;
Реферат:	rus: Рассматривается численная модель аксиально-симметричного высокочастотного разряда в гидродинамическом приближении. Для решения уравнений непрерывности для электронов и ионов и уравнения энергии электронов использована неявная экспоненциальная разностная схема, обеспечивающая положительные значения электронной температуры и концентраций плазменных компонентов. Разработанный алгоритм расчёта ВЧ-разряда замыкает численную модель плазмохимического травления, созданную в предыдущих работах авторов. eng: In this paper we consider a numerical model of axisymmetrical RF-discharge in hydrodynamical approach. We use the implicit exponential finite-difference scheme that ensures positive values of the electron temperature and the concentrations of plasma components. This model was used for numerical solution of the electron and ion continuity equations as well as for the electron energy balance equation. The developed algorithm closes a numerical model of plasma chemical etching, that was created in the previous works by the author.
Ключевые слова:	Hydrodynamical model; rf-discharge; плазмохимическое травление; гидродинамическая модель; высокочастотный разряд; plasmachemical etching;
Издано:	2013
Физ. характеристика:	с.58-73
Цитирование:	1. Cherrington B.E. Gaseous Electronics and Gas Lasers. Oxford: Pergamon Press, 1980. 2. Aydil E.E., Eсonomou D.J. Modeling of plasma etching reactors including wafer heating effects // J. of the Electrochem. Soc. 1993. Vol. 140. P. 1471-1481. 3. Graves D.B., Jensen K.F. A continuum model of DC and RF discharges // IEEE Trans. on Plasma Sci. 1986. Vol. PS-14. P. 78-91. 4. Lymberopoulos D.P., Economou D.J. Fluid simulation of glow discharges: Effect of metastable atoms in argon // J. of Appl. Phys. 1993. Vol. 73. P. 3668-3679. 5. Гадияк Г.В., Швейгерт В.А., Ууэмаа О.У. Математическое моделирование тлеющего газового разряда // Изв. СО АН СССР. Серия техн. наук. 1988. № 21, вып. 6. С. 41-47. 6. Швейгерт В.А. Высокочастотный разряд низкого давления в электроотрицательных газах. Новосибирск, 1990 (Препр. РАН. Сиб. отд-ние. ИТПМ. № 8-90). 7. Тихонов А.Н., Самарский А.А. Об одной наилучшей однородной разностной схеме // Докл. АН СССР. 1959. Т. 124. С. 779-782. 8. Дулан Э., Миллер Дж., Шилдерс У. Равномерные численные методы решения задач с пограничным слоем. М.: Мир, 1983. 9. Патанкар С. Численные методы решения задач теплообмена и динамики жидкости. М.: Энергоатомиздат, 1984. 10. Scharfetter D.L., Gummel H.K. Large-signal analysis of a silicon read diode oscillator // IEEE Trans. on Electron Devices. 1969. Vol. ED-16. P. 64-77. 11. Ting Wei Tang. Extension of the Scharfetter-Gummel algoritm to the energy balance equation // Ibid. 1984. Vol. ED-31. P. 1912-1914. 12. Старченко А.В., Ибраев Г.М. Опыт создания вычислительного кластера на базе кластерных систем Томского научного центра // Четвёртая Сибирская школа-семинар по параллельным и высокопроизводительным вычислениям. Томск: Дельтаплан, 2008. С. 61-78. 13. Писсанецки С. Технология разреженных матриц. М.: Мир, 1988. 14. Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Эффекты неизотермичности в плазмохимическом реакторе травления // Микроэлектроника. 1998. Т. 27, № 4. С. 294-303. 15. Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Особенности интенсификации травления кремния в CF4/O2 // Там же. 2007. Т. 36, № 4. С. 283-294. 16. Grigoryev Yu.N., Gorobchuk A.G. Numerical simulation of plasma-chemical processing semiconductors // Micro Electronic and Mechanical Systems / Ed. by Kenichi Takahata. In-Tech Education and Publ., 2009. P. 185-210. 17. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. 18. Meeks E., Vosen S.R., Shon J.W. et al. Results From Modeling and Simulation of Chemical Downstream Etch Systems. Sandia Rep. SAND96-8241 UC-401. 1996.