Инд. авторы:	Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г.
Заглавие:	Численная оптимизация плазмохимического реактора
Библ. ссылка:	Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Численная оптимизация плазмохимического реактора // Вычислительные технологии. - 1998. - Т.2. - № 6. - С.12-23. - ISSN 1560-7534. - EISSN 2313-691X.
Внешние системы:	РИНЦ: 13008119;
Реферат:	eng: The comparative computations of two most used plasma-chemical etching reactor (PCER) schemes pedestal and stadium, distinguished by organization of supply and exhaust of gases, were carried out. The reacting gas medium was considered in hydrodynamic approach as binary gas mixture. The parameters of RF-discharge and rate constants of the main processes are assumed as known. The dependence of the etching uniformity on the protector geometry and regime parameter was studied. It was shown that the distribution of diffusion flows in reactor volume exert the main influence on the etching uniformity of wafer. The optimum geometry of protector have been found for wide range of operating regimes. The results of computations allow us to optimize the choice of PCER parameters for considered schemes. rus: В работе приводятся результаты оптимизационных расчетов плазмохимических реакторов травления (ПХР), используемых в производстве микроэлектронных схем. Образование активной среды рассматривалось как результат процессов диссоциации электронным ударом и объемной рекомбинации. Движение газовой смеси в реакторах моделировалось уравнениями Навье-Стокса. Исследовалась зависимость однородности травления от геометрии кольцевого протектора образца. Показано, что основное влияние на однородность обработки оказывает распределение диффузионных потоков в объеме реактора. Найдены оптимальные размеры протектора для всего диапазона режимов. Результаты расчетов позволяют оптимизировать показатель неоднородности травления для рассмотренных конструктивных схем ПХР.
Издано:	1998
Физ. характеристика:	с.12-23
Цитирование:	1. Бакланов М. Р., Григорьев Ю. Н., Мелешко С. В., Плюхин В. Г. Влияние массопереноса на равномерность травления в планарном реакторе. Поверхность. Физика, химия, механика, №12, 1992, 61-69. 2. ГРИГОРЬЕВ Ю. Н., ГОРОЬЧУК А. Г. Управление однородностью травления в планарном плазмохимическом реакторе. В "Вычис. технологии", Новосибирск, 4, №12, 1995, 87-98. 3. ГРИГОРЬЕВ Ю.Н., ГОРОЬЧУК А. Г. Численная оптимизация планарных реакторов индивидуального плазмохимического травления. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №2, 1996, 47-63. 4. ECONOMOU D. J., SANG-KYU PARK, WILLIAMS G. D. Uniformity of etching in parallel plate plasma reactors. J. Elecrochem. Soc, 136, No. 1, 1989, 188-198. 5. KOBAYASHI J., NAKAZATO N., HURATSUKA K. Numerical simulation for gas flow and mass transfer in dry etching chamber. Ibid., 136, No. 6, 1989, 1781-1786. 6. FLAMM D. L., DONNELY V. M., MUCHA J. A. The reaction of fluorine atoms with silicon. J. Appl. Phys., 52, No. 5, 1981, 3633-3639.