Инд. авторы: Gadiyak G.V., Bibik A.V.
Заглавие: High-Temperature Boron or Phosphorous Ion Doping of Silicon
Библ. ссылка: Gadiyak G.V., Bibik A.V. High-Temperature Boron or Phosphorous Ion Doping of Silicon // Proceedings of the 9th International Conference on Ion Beam Modification of Materials 5-10 Febr., Canberra, Australia. Canberra: Elsiver, 1996, 1996. - P.810-814.
Издано: Canberra: Elsiver, 1996
Физ. характеристика: с.810-814