Инд. авторы: Gadiyak G.V., Bibik A.V.
Заглавие: High-Temperatura Boron or Phosphorous Ion Doping of Silicon
Библ. ссылка: Gadiyak G.V., Bibik A.V. High-Temperatura Boron or Phosphorous Ion Doping of Silicon // Ninth Intern. Conf. on Ion Beam Modication of Materials, February 5-10, 1995. Canberra, 1995. - P.10.046.
Издано: Canberra: , 1995
Физ. характеристика: с.10.046