Specific Features of Intensification of Silicon Etching in CF<sub>4</sub>O<sub>2</sub> Plasma

Grigoriev Y.N.; Gorobchuk A.G.

Инд. авторы:	Grigoriev Y.N., Gorobchuk A.G.
Заглавие:	Specific Features of Intensification of Silicon Etching in CF₄O₂ Plasma
Библ. ссылка:	Grigoriev Y.N., Gorobchuk A.G. Specific Features of Intensification of Silicon Etching in CF₄O₂ Plasma // Russian Microelectronics. - 2007. - Vol.36. - Iss. 5. - P.321-332. - ISSN 1063-7397. - EISSN 1608-3415.
Внешние системы:	РИНЦ: 13551270;
Издано:	2007
Физ. характеристика:	с.321-332